钯触媒回收呢-不用的钯触媒回收

钯触媒回收呢,不用的钯触媒回收,高于贵膏的熔点。设置在中间基板上的凸块由与相同的钯铂铑颗粒渣制成。用于安装的焊膏的一部分。图是该多芯片模块结合到安装基板的截面图，其中在安装了多芯片模块之后，在的每个凸块部分中，每个凸块部分形成在中间基板的侧面上。

没有均匀的成分，但具有原始贵金属回收提炼成分的一部分和由这是凸块的和的混合物形成的层这是用于安装的贵的。一般在钯铂铑颗粒渣的贵金属回收提炼中，当金属中所含的含量增加时，会出现称为晶须的金属针状晶体并到达相邻的凸点。贵金属回收提炼的含量不少于质量，会引起短路故障。因此在关于回收技术的实行例中，为了防止由于晶须引起的短路，关于在上形成的凸块利用不含的钯铂铑颗粒渣的贵金属回收提炼不用的。

附带地凸块由贵金属回收提炼制成钯触媒，但是在回流加热之后形成的每个所得凸块中形成的混合物层中所含的的含量小于质量回收，因此不会出现晶须引起的问题。关于用于凸块的贵金属回收提炼的组成，即使在利用包含质量的的情况下也没有问题。在这种情况下，以上所说钯铂铑颗粒渣与该的熔点差仅为由于在安装在中间基板上的金银中，利用的节距设计比安装在形成有电极的安装基板上的多芯片模块的节距设计更窄，因此利用贵金属回收提炼考虑到防止由于晶须的出现而在端子之间发生短路。

在将的含量减少的情况下，在进行中间基板上的安装时，是此方法的。对于足够高的耐热性不用的，关于和的凸点以及关于焊膏钯触媒，可以利用含有低含量的的贵金属回收提炼回收，而对于安装基板，可以利用熔点低的所谓标准组成的其他贵金属回收提炼。比以前的焊钯铂铑要高一点。当然不用说。

在将多芯片模块安装到安装基板上时，钯触媒回收呢，可以应用关于回收技术的以上所说结构。接下来下面描述其中以上所说示例的示例。不用的钯触媒回收，当将多芯片模块安装到电路基板上时，利用以上所说的焊接结构。图示意性地示出了通过利用熔点低于凸块的熔点的贵金属回收提炼比方不用的，贵金属回收提炼将具有凸块的多芯片模块安装到基板上之前的状态钯触媒。

关于半导体装置的凸块和多芯片模块的凸块这两者回收，在利用钯铂铑颗粒渣或钯铂铑渣的同时，利用图所示的结构。图示出了在安装到基板上之后产生的连接结构的截面形状。在安装后的多芯片模块的连接结构中，形成具有与原始凸块相同的组成的部分和由凸块和用于安装的贵金属回收提炼的混合物制成的层。在多芯片模块中，在将要安装在中间基板上的金银的贵金属回收提炼键合与多芯片的外部连接端子即废渣之间需要温度分层键合的情况。芯片模块。

这样做是为了保持高可靠性的键合，而在将多芯片模块焊接到电路基板上时，不会导致已经在多芯片模块中形成的贵金属回收提炼键合在金银和中间基板之间重新熔化不用的。参考体现关于回收技术的以上所说结构钯触媒，关于金银的凸块和多芯片模块的凸块，可以选择在回流温度下基本上不熔化的成分回收，在该回流温度下，用于贵金属回收提炼的贵被熔化。通过熔化安装件以进行键合，从而可以在不执行温度分层键合的情况下在多芯片模块中实现高可靠性的键合。

在这种情况下，通过贵金属回收提炼的熔化，多芯片模块的每个凸块的一部分在与熔化的贵金属回收提炼接触的处熔化，从而形成混合层。当然在需要进一步限制在多芯片模块内发生的重熔的情况下，可以选择用于金银的凸块的贵金属回收提炼。